本文摘要：一：MOSFET定义1．大家平时看见的MOSFET2．电子工程师眼中的MOSFET3．资深电子工程师眼中的MOSFET4．大师眼中的MOSFET二：MOSFET分类MOSFET按照生产工艺可以分成平面型（Planar）MOSFET以及超级闸极型（Super－Junction）MOSFET。

一：MOSFET定义1．大家平时看见的MOSFET2．电子工程师眼中的MOSFET3．资深电子工程师眼中的MOSFET4．大师眼中的MOSFET二：MOSFET分类MOSFET按照生产工艺可以分成平面型（Planar）MOSFET以及超级闸极型（Super－Junction）MOSFET。MOSFET世界品牌厂商有Infineon，ST，Onsemi（Fairchild），Toshiba等。

Infineon只有SJMOSFET，称作CoolMos。Onsemi和Toshiba既有PlanarMOSFET也有SJMOSFET。对于某种程度Rdson以及电压等级的MOSFET，PlanarMOSFET以及SJMOSFET各有自己的特点。

PlanarMOSFET＞水平结构＞更大的die尺寸，因此具备较小寄生电容，抗surge能力也比较较强＞较高的开关损耗＞对于单电源流形（boost，buck，flyback），一般来讲，EMI较好SJMOSFET＞横向结构＞较小的die尺寸，因此具备较小的寄生电容，较慢的电源速度＞较低的开关损耗＞Rdson可以做到的更加小，合适用作大功率器件的研发＞普遍应用于谐振流形（LLC，LCC．．．）三：PlanarMOSFET与SJMOSFET寄生电容较为对于同一系列的MOSFET（用于了完全相同的开发技术），Rdson＊Qg或者Rdson＊Qgd是完全相同或者近似于的。也就是说，对于同一系列的MOSFET而言，如果自由选择了更加小的Rdson，也就意味著适当的Qg和Qgd要较为大，具备更大等效的Ceq，必须较高的驱动能力。下一节将非常简单讲解MOSFET的EMC涉及科学知识以及过热机理。通过本公众号可以寻找关于MOSFET的其他文章，还包括MOSFET应用于参数理论编撰以及MOSFET寄生电容对LLC串联谐振电路ZVS的影响。

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